1. Desde un punto de vista microscópico, muchas propiedades físicas de los medios, incluyendo la conductividad, la permitividad y la permeabilidad, están realmente vinculadas a la frecuencia del campo electromagnético.
2. La distribución de los campos electromagnéticos y las cargas en movimiento en los conductores está, de hecho, relacionada con la frecuencia. Por ejemplo, el efecto pelicular a altas frecuencias.
3. El trazado de los conductores en el circuito, bajo el campo electromagnético alternado, también inducirá efectos adicionales, como la capacitancia y la inductancia parásitas.
La impedancia se divide en tres partes: resistencia, reactancia inductiva y reactancia capacitiva. Las dos últimas partes pueden considerarse como una resistencia imaginaria, y el valor de estas dos últimas partes está relacionado con la frecuencia de la corriente; por lo tanto, la impedancia de corrientes alternas de distintas frecuencias es diferente.
Un extremo del diodo es P, que es un semiconductor de tipo hueco, en el cual hay una cantidad insuficiente de electrones y se forman muchos «huecos» debido a la falta de electrones. Tras aplicar el campo eléctrico, estos huecos se desplazarán (en realidad, los electrones adyacentes se mueven para llenar los huecos, y dichos electrones generan nuevos huecos). En el otro extremo está N, que es un semiconductor de tipo electrónico, en el cual hay ligeramente demasiados electrones, lo que da lugar a algunos electrones que pueden moverse libremente.
Después de que los materiales P y N entran en contacto, los electrones del material N en el sitio de contacto llenarán los huecos del material P, formando una capa sin huecos ni electrones, denominada capa de agotamiento. Tras aplicar una tensión directa, el campo eléctrico impulsa a los electrones desde la dirección de P hacia N, de modo que los electrones del material N que habían llenado los huecos del material P serán impulsados de regreso, la capa de agotamiento desaparece y la corriente puede fluir normalmente.
Después de aplicar la tensión inversa, el campo eléctrico impulsa a los electrones desde la región N hacia la región P, de modo que más huecos serán ocupados por los electrones de la región N y la capa de agotamiento se espesará, lo que da lugar a una capa gruesa de zonas no conductoras que no pueden ser energizadas.